# 概要 ![[Pasted image 20251009131511.png]] - 1つのトランジスタと1つのキャパシタから構成される。とってもシンプル! - ステート - キャパシタの電荷量で0，1を表す - 読み取り - ALに電圧をかけると、キャパシタの電荷量に応じてDLに電荷が流れ出す - センスアンプ等でDLの電圧変化を検出し、0か1を読み出す - 電荷が失われていく（Leakage）ので、定期的に再チャージする必要がある - 書き込み - DLに電圧をかけて、キャパシタに十分な電荷が溜まるまで十分な時間ALに電圧をかける # 特徴 - 再チャージが必要だったり、書き込みに時間がかかったりする。[[SRAM]]よりも遅い。 - 各キャパシタは微小な容量しか持たないので、読み取りにはセンスアンプが必要。回路が複雑になる。 - コンデンサの書き込み・読み取りにはおおよそ以下のように時間がかかる（短形波にはならない） - $Q_\text{Charge}(t) = Q_0(1-e^{-t/RC})$ - $Q_\text{Discharge}(t) = Q_0 e^{-t/RC}$ ![[Pasted image 20251009133429.png]] - 1RC, 2RC, ...は時間を表す - R×C=[Ω]×[F]=[Ω]×[VC]=[AV]×[VAs]=[s] - 単純な回路なので、サイズが小型化できる。そしてかなり安価 # アクセス方法 - 仮想アドレス→物理アドレス→物理的なセル ![[Pasted image 20251009150435.png]] - デマルチプレクサ: N本のアドレス先→N本の選択線となってしまうが…（例: N=32なら32） - セルを格子状に並べて、16本のRow address selection（RAS）と16本のcolum address selection（CAS）にすれば、2 * 2^16本 - アドレス多重化（multiplexing） - アドレスを2回にわけておくる（RowのあとにColum）→ 16本に減らせる - 図では本来4本必要なのが、アドレス多重化をすれば2本に減らせる # 参考 - [[What Every Programmer Should Know About Memory]]