# 概要 ![[Pasted image 20251008153210.png]] SRAMの様子。 - 記憶保持部分 - M1~M4がコア部分で、[[交差結合インバータ]]を構成している。 - (M1, M2), (M3, M4)がそれぞれ一つの[[インバータ]] - お互いの出力がお互いの入力になるように繋がっている - どちらかの出力が1なら、もう片方は0になるように安定している状態 - 以下のようにして交差結合インバータ全体でステートを表現する - M1, M2側の出力が1 / M3, M4側の出力が0なら「0」を記憶 - M1, M2側の出力が0 / M3, M4側の出力が1なら「1」を記憶 - 読み出し - まずBL, \bar{BL}をpre-chargeする（どちらも等しい中間電圧にし、電荷をチャージする） - WLに電圧をかけると、M5, M6の[[NMOS]]がOnとなり、\bar{BL}とM1, M2の出力が、BLとM3, M4の出力が接続される。0のインバータに繋がっている\bar{BL}/BLは電荷がGNDに吸われるので、電荷が下がる - BLと\bar{BL}の電圧差をセンスアンプで検出し、「1」「0」を検出する - 書き込み - WLに電圧を印加する - BLに書き込みたい入力を与える - そうすると安定していた交差結合インバータの結果が書き換わる # 特徴 - 1つのセルに6つもトランジスタが必要となる（4つ版もあるらしい） - ステートを維持するためには常に電力が必要（ただし[[DRAM]]よりも低電力） - ステートのリフレッシュが不要 - 回路が単純で、[[DRAM]]よりも読み書きが高速 - トランジスタで構成されるため、プロセッサと同じプロセスで製造可能 - CPUの[[キャッシュメモリ]]によく使われている（超高速だけど、高価） # 参考 - [[What Every Programmer Should Know About Memory]] - https://toriten1024.hatenablog.com/entry/2023/12/19/025143